logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > JANTXV1N6628/TR

JANTXV1N6628/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 1.75A

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipe pemasangan:
Melalui Lubang
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.35 V @ 2 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/590
Kapasitansi @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
30 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
E, Aksial
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
660V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1,75A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipe pemasangan:
Melalui Lubang
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.35 V @ 2 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/590
Kapasitansi @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
30 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
E, Aksial
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
660V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1,75A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
JANTXV1N6628/TR
Dioda 660 V 1.75A melalui lubang