logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > JAN1N6631US/TR

JAN1N6631US/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D-5B

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.6 V @ 1.4 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/590
Kapasitansi @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
60 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
1100 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1.4A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.6 V @ 1.4 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/590
Kapasitansi @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
60 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
1100 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1.4A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
JAN1N6631US/TR
Dioda 1100 V 1.4A Permukaan Gunung D-5B