logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > MNS1N6640US/TR

MNS1N6640US/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GP REV 50V 300MA D-5D

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Current - Reverse Leakage @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1 V @ 200 mA
Paket:
Tape & Reel (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/609
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
D-5D
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
Mfr:
Teknologi Microchip
Technology:
Standard, Reverse Polarity
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
SQ-MELF, D
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
50 V
Current - Average Rectified (Io):
300mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Current - Reverse Leakage @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1 V @ 200 mA
Paket:
Tape & Reel (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/609
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
D-5D
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
Mfr:
Teknologi Microchip
Technology:
Standard, Reverse Polarity
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
SQ-MELF, D
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
50 V
Current - Average Rectified (Io):
300mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
MNS1N6640US/TR
Dioda 50 V 300mA Permukaan Gunung D-5D