logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > JAN1N5420US/TR

JAN1N5420US/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1,5 V @ 9 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/411
Kapasitansi @ Vr, F:
-
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
400 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
600 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
3A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1,5 V @ 9 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
Militer, MIL-PRF-19500/411
Kapasitansi @ Vr, F:
-
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
400 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
600 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
3A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
JAN1N5420US/TR
Dioda 600 V 3A Permukaan Gunung D-5B