logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > 1N5554US/TR

1N5554US/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 3A D-5B

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.3 V @ 9 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
-
Kapasitansi @ Vr, F:
-
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
2 µs
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
1000 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
3A
Kecepatan:
Pemulihan Standar >500ns, > 200mA (Io)
Nomor produk dasar:
1N5554
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1.3 V @ 9 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
-
Kapasitansi @ Vr, F:
-
Paket Perangkat Pemasok:
H-5B
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
2 µs
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, E
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
1000 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
3A
Kecepatan:
Pemulihan Standar >500ns, > 200mA (Io)
Nomor produk dasar:
1N5554
1N5554US/TR
Dioda 1000 V 3A Permukaan Gunung D-5B