logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > IC Komponen Elektronik > 1N5619US/TR

1N5619US/TR

Rincian produk

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
500 nA @ 600V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1,6 V @ 3 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
-
Kapasitansi @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Paket Perangkat Pemasok:
H-5A
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
250 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, A
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
600 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Dioda Penyearah Dioda Tunggal
Status Produk:
Aktif
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr:
500 nA @ 600V
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ Jika:
1,6 V @ 3 A
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
-
Kapasitansi @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Paket Perangkat Pemasok:
H-5A
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):
250 detik
Mfr:
Teknologi Microchip
teknologi:
Standar
Suhu Pengoperasian - Persimpangan:
-65°C ~ 175°C
Paket / Kasus:
SQ-MELF, A
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks):
600 V
Arus - Rata-Rata Diperbaiki (Io):
1A
Kecepatan:
Pemulihan Cepat =<500ns, > 200mA (Io)
1N5619US/TR
Dioda 600 V 1A Permukaan Gunung D-5A