Kategori: |
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor JFET |
Tipe FET: |
Saluran-N |
Status Produk: |
Aktif |
Tegangan - Kerusakan (V(BR)GSS): |
25 V |
Tipe pemasangan: |
Melalui Lubang |
Paket: |
Tas |
Seri: |
- |
Arus - Tiriskan (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTE elektronik, Inc |
Tegangan - Cutoff (VGS mati) @ Id: |
6,5 V @ 1 nA |
Paket Perangkat Pemasok: |
KE-106 |
Paket / Kasus: |
TO-106-3 Berkubah |
Suhu operasi: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds: |
- |
Daya - Maks: |
300 mW |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): |
25 V |
Kategori: |
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor JFET |
Tipe FET: |
Saluran-N |
Status Produk: |
Aktif |
Tegangan - Kerusakan (V(BR)GSS): |
25 V |
Tipe pemasangan: |
Melalui Lubang |
Paket: |
Tas |
Seri: |
- |
Arus - Tiriskan (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTE elektronik, Inc |
Tegangan - Cutoff (VGS mati) @ Id: |
6,5 V @ 1 nA |
Paket Perangkat Pemasok: |
KE-106 |
Paket / Kasus: |
TO-106-3 Berkubah |
Suhu operasi: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds: |
- |
Daya - Maks: |
300 mW |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): |
25 V |